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TFT详细讲解液晶屏的技术特点

作者:佚名2022-08-01 16:12:36

  今天就来告诉大家TFT到底液晶屏的技术特点是什么,希望能帮助更多的新朋友。

  如今,随着智能手机的快速发展,边晓认为很多网友都是对的TFTLCD这个词并不陌生,它们或多或少会在手机参数中看到。TFT全称为ThinFilmTransistor(膜场效应晶体管)TFT由集成在后面的膜晶体管驱动液晶显示屏上的每一个液晶象素点,从而实现高速、高亮度、高对比度的屏幕信息。TFT它属于有源矩阵液晶显示器,属于TFT液晶屏是大多数液晶显示器之一。

  TFTLCD背面的特殊光管可以主动控制屏幕上的各种独立像素,这就是所谓的主动矩阵TFT(activematrixTFT)反应时间可以大大提高。一般来说,TFT反应时间相对较快,约80毫秒,STN这是200毫秒,如果需要改进,就会出现闪烁现象。还有因为TFT是主动矩阵LCD,能记住液晶的排列方式,电流消失后不会立即恢复原状。

  TFT显示屏显示采用背透照射法——假设光源路径不像TNLCD从上到下,但从下到上。这种方法是LCD在背面设置一个特殊的光管,当光源照射时,它通过下偏光板向上渗透。由于上下夹层的电极改为上下夹层FET当FET电极导通时,LCD分子的性能也会发生变化,显示的目的可以通过遮光和透光来实现。响应时间大大提高到80毫秒左右。因为它比它好TN-LCD对比度更高,色彩更丰富,屏幕更新更快,所以TFT俗称真彩。

  与DSTN相比,TFT-LCD其主要特点是为每个像素配置一个半导体开关装置。因为每个像素都可以通过点脉冲直接控制。因此,每个节点都是相对独立的,可以连续控制。这种设计方法不仅提高了显示屏的响应速度,而且准确地控制了显示灰度,这就是为什么TFT的颜色比DSTN更逼真。

  TFT还改善了STN闪烁(水波纹)模糊现象,有效提高了动态图像的播放能力。STN相比,TFT具有良好的色彩饱和度、恢复能力和较高的对比度,但缺点是功耗高、成本高。

  TFT液晶技术特点

  TFT技术在20世纪90年代发展起来。采用新材料、新技术的大型半导体全集成电路制造技术是液晶、无机、有机薄膜发光(EL和OEL)平板显示器的基础。TFT它是通过溅射和化学沉积技术形成制造电路所需的各种薄膜,如玻璃或塑料基板(当然也可以在晶片上),通过薄膜加工制造大型半导体集成电路(LSIC)。非单晶基板的使用可以大大降低成本,这是传统大规模集成电路向大面积、多功能、低成本方向的延伸。控制元件在大面积玻璃或塑料基板上制造(LC或OLED)开关性能的TFT大规模集成电路比在硅片上制造更难。生产环境要求(净化度100级),原材料纯度要求(电子气体纯度99.对生产设备和生产设备的主要要求超过半导体技术。

  大面积。

  20世纪90年代初,第一代大面积玻璃基板(300毫米)×400毫米)TFT-LCD生产线投产。到2000年上半年,玻璃基板的面积已扩大到680毫米×880毫米。最近,950毫米×1200毫米的玻璃米的玻璃基板。原则上没有面积限制。

  集成度高。

  液晶投影用1.3英寸TFT芯片的分辨率为XGA,含有数百万像素。分辨率为SXGA(1280×1024)的16.1英寸TFT非晶体硅的膜厚度只有50纳米,TABONGLASS和SYSTEMONGLASS技术集成、设备和供应技术的要求和技术难度超过了传统LSI。

  功能强大。

  TFT最初,作为矩阵选址电路,液晶光阀的特性得到了改善。高分辨率显示器可以通过0-6V范围内的电压调节值为0.2~4V)实现对象元的正确控制,使LCD实现高质量的高分辨率显示。TFT-LCD这是人类历史上第一个超过显示质量的人CRT平板显示器。现在,人们开始驱动IC集成到玻璃基板上,TFT在传统的大型半导体集成电路中,整体功能更加强大。

  低成本。

  玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大型半导体集成电路的成本问题,为大型半导体集成电路的应用开辟了广阔的应用空间。

  过程灵活。

  除了溅射,激光退火技术,CVD(化学气相沉积)MCVD(分子化学气相沉积)等传统工艺已应用于非晶膜、多晶膜和单晶膜。它不仅可以制作硅膜,还可以制作其他硅膜。Ⅱ-v族和ⅲ-v半导体膜。

  应用广泛。

  基于TFT技术的LCD平板显示器是信息社会的支柱产业,也可用于薄膜晶体管有机发光(TFT-OLED)快速发展的平板显示。

  这就是我们今天要说的TFTLCD技术特点,有任何需要可以联系我们。

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